已有样品/n微电子所先导中心韦亚一研究员团队与中芯国际研究团队围绕14 纳米CMOS 量产工艺中光源掩模协同优化技术开展联合攻关并取得显著进展,完成了后段制程中多层关键层的光源优化工作,包括Metal 1X、Metal 1.25X、Via 1X 等。优化后光源通过晶圆数据验证评估,较原有光源在各项关键指标上有显著提升,保证了先进节点中光刻工艺的稳定性。