高迁移率沟道MOS 器件

2021-01-12 00:00:00

云上高博会 https://heec.cahe.edu.cn

关键词： MOS器件

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所属领域:

新一代信息技术

项目成果/简介:

已有样品/nCMOS 研究团队创新性地在high-k/InGaAs 界面插入极薄外延InP 层，将

high-k/InGaAs 的界面缺陷有效推移至high-k/InP 之间。通过采用多硫化氨

[(NH4)2Sx]对InP 进行表面钝化处理并结合低温原子层高k 介质沉积技术，有效抑

制了在介质沉积以及金属化后退火过程中的表面氧化和磷原子脱附效应，成功将

high-k/InP 界面的最低缺陷密度降低至2 × 1011 cm-2eV-1 ，有效克服了<

项目阶段:

小批量或小范围应用

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