3D NAND 存储器研发

2021-01-12 00:00:00

云上高博会 https://heec.cahe.edu.cn

关键词：存储器

点击收藏

所属领域:

新一代信息技术

项目成果/简介:

已有样品/n3D NAND 是革新性的半导体存储技术，通过增加存储叠层而非缩小器件二维尺

寸实现存储密度增长，从而拓宽了存储技术的发展空间，但其结构的高度复杂性给

工艺制造带来全新的挑战。经过不懈努力，工艺团队攻克了高深宽比刻蚀、高选择

比刻蚀、叠层薄膜沉积、存储层形成、金属栅形成以及双曝光金属线等关键技术难

点，为实现多层堆叠结构的3D NAND 阵列打下坚实基础。

项目阶段:

小批量或小范围应用

会员登录可查看合作方式、专利情况及联系方式

扫码关注，查看更多科技成果

取消

确定