已有样品 使用有机电荷转移分子F4TCNQ与MoS2结合形成范德华界面,通过F4TCNQ与MoS2之间的电荷转移来降低沟道内无栅压情况下的载流子浓度。MoS2晶体管的开启电压(Von)从负数十伏被调制至0伏附近,F4TCNQ并未导致MoS2晶体管包含迁移率在内的任何电学性能的下降,其亚阈值摆幅(SS)反而明显提升。