已有样品/n使用有机电荷转移分子F4TCNQ与MoS2结合形成范德华界面,通过F4TCNQ与MoS2之间的电荷转移来降低沟道内无栅压情况下的载流子浓度。MoS2晶体管的开启电压(Von)从负数十伏被调制至0伏附近,F4TCNQ并未导致MoS2晶体管包含迁移率在内的任何电学性能的下降,其亚阈值摆幅(SS)反而明显提升。团队成员通过第一性原理计算以及扫描开尔文探针显微镜表征证实了范德华界面处电荷转移的存在性,并研究了F4TCNQ对Mo