新型硅基环栅纳米线MOS 器件

2021-01-12 00:00:00

云上高博会 https://heec.cahe.edu.cn

关键词： MOS器件

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所属领域:

新一代信息技术

项目成果/简介:

已有样品/n在主流硅基FinFET集成工艺基础上，通过高级刻蚀技术形成体硅绝缘硅Fin和

高k金属栅取代栅工艺中选择腐蚀SiO2相结合，最终形成全隔离硅基环栅纳米线MOS

器件的新方法。并在取代栅中绝缘硅Fin释放之后，采用氧化和氢气退火两种工艺

分别将隔离的“多边形硅Fin”转化成“倒水滴形”和“圆形”两种纳米线结构。

项目阶段:

产业化应用

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