已有样品/n垂直结构的高密度三维交叉阵列,结合了3D-Xpoint以及3D-NAND两种架构的优势,具有制备工艺简单,成本低廉以及集成密度高等优点。刘明团队在前期四层堆叠结构的基础上(IEDM 2015 10.2、VLSI 2016 8.4)实现了8层结构的设计,进一步验证了RRAM三维结构微缩至5nm以下的可能性。