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中国科学院大学 > 科技成果 > 正文

先导中心8 寸平台上制造绝缘体上张应变锗（TSGOI）晶圆

2021-01-12 00:00:00
云上高博会 https://heec.cahe.edu.cn
关键词： TSGOI晶圆
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所属领域:
新一代信息技术
项目成果/简介:

已有样品/n实现了工艺过程中对Ge的诱导应变微调，使Ge的带隙改变为0.7eV。以此类Ge

衬底制备的PMOS器件实现了506cm2V-1s-1的高空穴迁移率。

项目阶段:
产业化应用
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