高性能低温烧结BZN基高频电介质瓷料

具有自主知识产权的BZN系材料具有高性能与低温烧结兼优的特点，介电常数高（e: 80～150），介质损耗小（tgd<6 ´10-4），介电常数温度系数可系列化（ae: +200～-750ppm/℃），瓷体致密，绝缘电阻和抗电强度高(r³1013wžcm; ev³10kv/mm)，化学组成和相组成简单，烧结温度低（900～940℃），工艺简单，温度稳定性和频率稳定性好，可以作为高频多层陶瓷电容器（mlcc）、中高压特种陶瓷电容器、微波谐振器、微带滤波器、陶瓷天线、低温共烧元件（ltccs）和陶瓷多元组件（mcms）等的介质材料使用。并可以采用低钯含量的银钯浆料（pd10/ag90）作为内电极，可大大降低多层器件的成本并提高其高频性能。

BZN系统中零温度系数组分的介电常数为95～105，介质损耗小（<6 ´10-4），介电常数温度系数符合国家电容器标准cg组指标（0±30ppm/℃），烧结温度低（900～940℃）。bzn系统中负温度系数组分的介电常数为150，介质损耗小（<6´10-4），介电常数温度系数符合国家电容器标准uj组指标（-750±120ppm/℃），烧结温度低（～960℃）。