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绝缘栅双极晶体管(IGBT)研究与中试

2021-01-12 00:00:00
云上高博会 https://heec.cahe.edu.cn
关键词： 晶体管 IGBT
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所属领域:
电子信息
项目成果/简介:

绝缘栅双极晶体管(IGBT)是新型MOS功率器件，目前在国内的研究只有我们和北工大进行。在国内的生产更是空白。国内的器件应用全靠进口。项目承担人袁寿财是国内最早从事IGBT研究的人员和专家之一，所有技术是自己研制和开发，属自有技术。包括平面工艺和目前最先进的Trench(槽)工艺，采用VLSI侧墙自队准和硅化物自对准技术，使工艺极大地简化 

项目阶段:
试用
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