一种Sn掺杂CrO2薄膜及其制备方法

2021-01-12 00:00:00

云上高博会 https://heec.cahe.edu.cn

关键词： CrO2薄膜

点击收藏

所属领域:

资源与环境

项目成果/简介:

小试阶段/n磁性半金属CrO2薄膜在自旋电子器件中有广阔的应用前景，然而，其化学性质不够稳定，即使在室温下也容易转化为Cr2O3。本发明采用SnI4和CrO3作为前驱物，通过化学气相沉积(CVD）成功制备出Sn掺杂CrO2薄膜，使薄膜的热稳定性大大提升，从而解决了CrO2薄膜稳定性的问题。

项目阶段:

小批量或小范围应用

知识产权编号:

ZL201410207290.7

会员登录可查看合作方式、专利情况及联系方式

扫码关注，查看更多科技成果

取消

确定