一种Sn掺杂CrO2薄膜及其制备方法

资源与环境

本发明具体涉及一种Sn掺杂CrO2薄膜及其制备方法。其技术方案是：先将75——99.99份质量的CrO3装入石英舟内，将0.01——25份质量的SnCl2装入另一石英舟内，再将上述两个石英舟放入双温区管式炉的低温区，将TiO2单晶基片放入双温区管式炉的高温区；在持续通入O2的条件下，先将高温区加热至360℃——420℃，开始保温，高温区保温的终止时间与低温区保温的终止时间相同；在高温区开始保温时，对低温区加热至240℃——300℃，保温2——8h；自然冷却，即在单晶基片上制得Sn掺杂CrO2薄膜。本发明具有操作简单和能较快地进行工业化生产的特点，用该方法制备的Sn掺杂CrO2薄膜在磁性能无较大变化的情况下热稳定性有了较大的提高，应用范围广泛。

（注：本项目发布于2014年）

CN201410207290.7