一种单相α-Si3N4超细粉体及其制备方法

资源与环境

本发明涉及一种单相α‑Si3N4超细粉体及其制备方法。其技术方案是：先将5——30wt%的单质硅粉、15——45wt%的固态氮源和40——80wt%的卤化物粉混合均匀，制得混合物；再将所述混合物置入管式电炉内，在氮气气氛下以2——10℃/min的升温速率升至1000——1300℃，保温2——6小时；然后将所得产物用去离子水反复清洗，直至分别用AgNO3和Ca(NO3)2溶液滴定不再出现白色沉淀为止；最后在110℃条件下干燥10——24小时，即得单相α‑Si3N4超细粉体。本发明具有反应温度低、成本低、合成工艺简单、过程易于控制、产率高和产业化前景大的特点；所制备的单相α‑Si3N4超细粉体粒度为100——500nm，无杂相、活性高、颗粒团聚小和粒度分布均匀。

（注：本项目发布于2015年）