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纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
2021-01-12 00:00:00
云上高博会
https://heec.cahe.edu.cn
关键词：
晶体管
所属领域:
项目成果/简介:
研发阶段/n内容简介：纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管涉及一种新型功率半导体器件制造技术。结合微电子技术工艺，构造用纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管。它具有高速、耐苛刻环境、低导通电阻等一系列特点，广泛用于数字电子技术等领域。本产品获得一项专利，专利号：200510018701.9。
项目阶段:
知识产权编号:
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