本申请涉及一种二维材料硒化铟的非晶化方法。本申请的非晶化方法包括:S1:提供设置有纳米层状硒化铟样品的电学芯片;S2:对电学芯片施加脉冲电压,使硒化铟发生非晶化。本申请通过施加脉冲电压来诱导非晶化,具有快速、精确、节能等优势,适用于高性能电子和光电器件的制造。