本项目主要研究和开发高迁移率透明氧化物半导体薄膜,重点研究掺锌氧化铟(IZO)透明氧化物半导体薄膜;筛选合适的介质层材料,研 究和制备优质致密的透明介质层薄膜;研究制备掺钨氧化铟(IWO)高 迁移率 TCO 薄膜,使其与 TOS 薄膜具有良好的电接触特性;研究制 备采用上述透明导电氧化物电极、透明氧化物半导体沟道层和透明介 质层构成的全透明 TFT,研究 TFT 的尺寸和各种工艺技术对 I-V 特