本发明属于半导体存储器技术领域,具体为一种基于二维材料的超短沟道非易失闪存器件及其制备方法。本发明通过原子级薄层沟道和栅叠层设计降低特征长度,从而促进器件尺寸微缩;该器件通过能带设计和范德华堆叠高质量界面降低隧穿势垒,实现十纳秒级编程/擦除速度和非易失特性;器件的短沟道通过垂直沉积和倾斜沉积两步法工艺实现,且沟道长度能够通过改变电极厚度和沉积角度来调控。本发明能在不使用先进光刻技术前提下,实现亚10nm沟道长度,突破硅基闪存器件的沟道长度微缩瓶颈,为新型高速非易失存储器的高密度集成提供新解决方案。
扫码关注,查看更多科技成果