现今,高响应度光电倍增管(PMT)为最广泛应用于微弱紫外信号的探测器,然而由于其体积大、易损坏、需要高精度高压电源、无法实现阵列探测和价格高等因素的制约,研制碳化硅紫外雪崩光电探测器取代光电倍增管已经成为近年来国际上光电探测领域的研究热点。与光电倍增管相比,碳化硅紫外光电探测器具有体积小、可制作焦平面阵列探测、结构简单、可在室温下工作、成本低等优点。随着碳化硅材料和其器件制备技术的不断发展,其紫外光电探测器性能指标有望达到甚至超过光电倍增管。本研究小组已就肖特基势