一种Mo基MXene异质结的制备方法

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本发明属于纳米材料制备领域，尤其涉及一种Mo基MXene异质结的制备方法，包括以下步骤：在无氧条件下，Mo<subgt;2</subgt;Ga<subgt;2</subgt;C MAX材料、卤化铵、小分子插层剂和水混合后加热反应，得到Mo基MXene异质结；所述卤化铵在水中的浓度≥6mol/L；所述小分子插层剂的相对分子质量为40~100，所述小分子插层剂在水中的浓度≥3mol/L；所述加热反应的温度＞180℃。本发明利用安全性和稳定性更好的卤化铵和小分子插层剂，一步法大批量刻蚀MAX前驱体并制备Mo基MXene异质结，制备工艺简单，制备效率高，制备成本低，易于大批量生产，安全可靠，避免了传统有害试剂HF的使用，无需引入强酸、强碱。