近阈值到宽电压集成电路设计技术

1.本成果突破了1项关键技术（近阈值集成电路设计技术体系）、2项关键指标领先（工作电压最低、处理能效最高）、实现了3类应用（近阈值单元库、低功耗芯片、定制流程），解决了我国物联网芯片，低功耗近阈值设计关键技术不再受制于人。 2.近阈值技术已经应用于国内多家集成电路企业，新增产值6.3亿元，新增利润1.7亿元。标准单元库电源电压从1.1V降低到0.6V，读写能耗降低了80%。大幅度提成了国产工艺在物联网芯片方面的竞争力。 3.该成果在保证良率的前提下，降低电源电压至阈值电压附近。在国内首次系统性研究低电压（近阈值）集成电路设计方法，突破了低电压片上静态存储器、同步电路的弹性设计方法、模拟/射频低功耗主从结构等三项关键技术，研制的40nm 0.6V低电压标准单元和存储器获得中芯国际的任何，研制的0.6V 6mW低电压导航芯片获得国内领先移动互联芯片设计企业-珠海全志的认可。 4.本成果应用效果显著：1）江苏东大集成电路系统工程技术有限公司整体应用本项目技术，以低功耗核心技术提升物联网终端产品竞争力，研制并规模量产65nm低功耗系统芯片，开发工业级物联网终端产品竞争力，研制并且规模量产65nm低功耗系统芯片，开发工业级物联网移动终端7系列共474580台，近两年新增销售额45976万元，新增利润13793元，在国内物流快递领域应用于顺丰等行业领军企业，取代国外竞争对手优势地位。2)深圳市国微电子采用本项目技术，研发国内最大容量低功耗军用存储芯片，近两年新增销售额5000万元。