InP基2微米波段半导体激光器

高端装备制造

可以量产

InP基In(Ga)As量子阱在材料制备及器件工艺制作方面具有诸多优势。除了具有高质量，低成本的衬底材料，InP基激光器因其兼容传统通讯用激光器的成熟工艺，且易与其它器件实现集成等优势而具有更好的工业应用前景。该所拥有采用MOCVD制备大晶格失配In(Ga)As/InP量子阱外延芯片、半导体激光器工艺制作以及器件测试封装的全套技术。该所制备的激光器外延芯片波长可精确调控，其面内波长不均匀性低至±3nm，相应的激光器件性能指达到国际先进水平。

市场预期：目前市场对2微米激光器的应用需求主要集中在以下几个方面：

1、CO2、CO、H2O及N2O等痕量气体探测；

2、2微米波段大功率固体激光器种子源；

3、2.1微米掺钬光纤激光器泵浦源。

小批量或小范围应用