本项目针对国内高端光电子器件严重依赖进口的现状问题,自主研制Tb/s级以上 PDM-16QAM的硅基大规模阵列集成相干光接收芯片。根据本研究组在硅基集成光电子器件、偏振控制器件、光混频器等方面的建模仿真、制备测试基础,依托“先进电子材料与器件”校级平台的先进半导体加工能力,制备了高偏振消光比的偏振分束器、偏振旋转器,高相位精度的90度混频器,大带宽高响应度的探测器阵列,高效硅基芯片-光纤耦合,以及可调光功率衰减器。
通过本项目的实施,在硅基光接收集成芯片、高端光电子器件及其大规模集成的关键技术领域有所突破,建立关键工艺技术与器件标准库,形成硅基光电子器件标准加工工艺流程,实现高端光电子器件的自主制备,改变了我国硅基光电子器件技术无偿地向国外转移的历史,缩短我国光子集成技术与国际先进水平的差距,提升我国光通信产业的竞争力。部分成果获得2014年度上海市发明二等奖。
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