在这种独特的vdW p−g−n结中,互补带隙的MoTe2和SnS2、石墨烯夹层、结内形成的垂直内置电场的组合为增强的宽带光吸收、高效的激子分离和载流子转移提供了无可比拟的优势。研究发现,石墨烯夹层在增强探测率和拓宽光谱范围方面起到关键作用(图2e)。优化的器件(包含5−7层石墨烯夹层)在紫外−可见−近红外光谱中显示出超过2600 A/W的光响应度(图2b)、快的光响应速度(图2c)、高达1013 Jones的比探测率 (图2d)。特别是在1550 nm短波红外激发下,其比探测率也高达1.06×1011 Jones,可媲美商业的短波红外探测器(譬如非制冷的Ge-on-Si光电探测器)。
这些研究结果为宽带的超高性能光电探测器提供了切实可行的思路,且本研究成果在目前宽光谱光电探测器件方面以及未来的柔性的光电子与智能传感器件方面具有极大的应用潜力。
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