金属有机化学气相沉积工艺和反应器设计

化学化工

项目简介

本成果基于金属有机化学气相沉积（MOCVD）GaN 生长的化学反应动力学原理和传热 传质原理，设计了一种新的 GaN 生长的 MOCVD 工艺，以及相应的新的 MOCVD 反应器。新 工艺可以大大减少气相寄生反应、提高衬底上方的温度和浓度均匀性，加大生长窗口。 改进了传统的 MOCVD 工艺窗口窄，对温度和浓度过于敏感等缺点，属国际首创。围绕该 成果已申请多项发明专利。

性能指标

未应用