系列高压集成技术

电子信息

本成果包括系列基于硅基或SOI基材料的高压集成技术，可用于700V AC-DC电源管理IC、600V/1200V高压栅驱动IC、不同电压需求的高压开关IC、D类功率放大器、电机驱动IC等的研制，满足照明、工业控制、汽车电子、电机驱动、消费电子等领域的需求。具体包括： 硅基：

（1）超低比导通电阻700V单晶型BCD工艺；

（2）600V外延型BCD工艺；

（3）1200V外延型BCD工艺；

（4）48V高功率BCD工艺；

（5）40V高压双极型工艺。

SOI基：

（1）600V 厚层SOI BCD工艺；

（2）650V薄层SOI高压CDMOS工艺；

（3）300V薄层SOI高压CDMOS工艺；

（4）200V薄层SOI高压CDMOS工艺；

（5）100V薄层SOI高压CDMOS工艺；

（6）40V薄层SOI高压CDMOS工艺；

（7）-200V SOI高压CDMOS工艺；

（8）-100V SOI高压CDMOS工艺。

产业化应用