针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术

2021-04-10 00:00:00

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关键词：电路设计

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所属领域:

电子信息

项目成果/简介:

上限低，可反向导通，dv/dt扰动和di/dt扰动等。该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路，通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰；同时利用高端栅极钳位技术，在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位，防止对上开关管的损坏。半桥GaN栅驱动电路主要指标为：？独立的高侧和低侧TTL逻辑输入？ 1.2A/5A 峰值上拉和下拉电流？高端浮动电压轨到100V ？ 0.6Ω/2.1Ω 下拉和上拉电阻？快速的延迟时间 (28ns typ) ？非常优越的延时匹配（1.5ns typ）

项目阶段:

产业化应用

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