成果描述:
研发的抗直流偏置低温烧结铁氧体材料主要参数满足: 烧结温度:900度 磁导率:70±10% 磁导率下降到70%时可承载磁场H70%>750 A/m 性能还可根据用户需求适当调节
市场前景分析:
该材料可广泛应用与LTCC大功率和抗大直流偏置的片式功率电感的研发,市场前景非常好。
与同类成果相比的优势分析:
国内目前仅有一家山东的公司在研发生产同类型的材料,但其生产材料已全部被深圳顺络电子包销,不对外销售。本成果研发的材料抗直流偏置特性比山东这家公司略有提升,且性能稳定,已完成中试,可实现大批量生产。
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