本技术涵盖大尺寸铌酸锂晶体生长工艺及装备、晶圆制备、单晶薄膜制备及声表面波器件,实现材料、装备、器件协同发展。主要针对8英寸铌酸锂晶体、单晶薄膜及声表面波器件进行开发研究,该技术属于我国“卡脖子”技术,目前国际市场空白。在铌酸锂晶体生长方面,开发了大尺寸智能单晶生长设备及工艺,包括大尺寸铌酸锂晶体生长模拟仿真设计、铌酸锂熔体-晶体固液界面特性与控制、大尺寸铌酸锂晶体生长工艺开发、生长-检测-分析-控制人工智能系统。采用离子束切片键合技术制备铌酸锂单晶薄膜,突破传统的薄膜制备方法无法制备单晶铌酸锂薄膜
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