传统上多采用Ni/Au金属作为LED的电极,降低出光效率,因此,需要采用透明电极。针对LED对透明电极的要求,利用磁控溅射法在玻璃衬底上设计不同气氛、衬底温度、工作气压、溅射功率、靶距、溅射时间等参数下的实验制备CIO和ZAO薄膜,探寻制备两类薄膜的合适的工艺条件;并研究了退火处理对制备薄膜的结构和性能的影响。制备出高质量、高性能的CIO和ZAO薄膜,发现薄膜的透光率均在80%以上,甚至可高达91%,电阻率达到10-3Ω.cm数