短波红外(SWIR)光电探测器可探测1.0–3.0μm的光谱,可广泛应用于遥感、成像和自由空间通信等领域。传统的商用SWIR光电探测器主要依赖于HgCdTe或InAs/GaSb II–型超晶格和InGaAs/GaAsSb II–型量子阱,但是它们都存在一些瓶颈。譬如,HgCdTe半导体存在原料毒性和均匀性差、产率低等问题。而且,HgCdTe SWIR光电探测器必须在低温下工作才能抑制热噪声,以此获得较高的比探测率。此外,基于II