过使用金属元素铼掺杂的方式,成功优化了样品的电学性能。团队发现,适量的铼元素掺杂能够调控Sb2Te3(GeTe)12的载流子浓度以提高其功率因子。同时,团队运用球差矫正透射电子显微镜清楚地捕捉到了样品中的二维缺陷以及锗析出物在掺杂前后的尺寸变化,大量文献表明,材料内部的这些缺陷会强烈的散射声子,进一步降低材料的晶格热导率。该工作使得Sb2Te3(GeTe)12基热电材料的总体热电性能得到大幅优化,在773 K温度下的热电优值达到了2.25,晶格热导