课题组采用基于密度泛函理论的晶格动力学方法研究了碲化镉(CdTe)材料的声子谱(见图1(a)),通过系统分析发现在具有闪锌矿结构的II-VI半导体碲化镉中存在理想的第二类外尔声子(见图1(b)),并且发现这样的准粒子激发发生于声学支和光学支的交汇处。课题组随后根据二阶力常数矩阵构造类似于电子系统的Wannier紧束缚Hamiltonian,从而可以