GaN系列材料具有低的热产生率和高击穿电场,是制作大功率电子器件的重要材料。利用GaN材料制造的功率管拥有承受大电流、耐高压、抗辐射,耐高温而且开关速度快的特点,非常适用于高功率微波器件。随着5G毫米波通信、工业4.0和新一代雷达的发展,这种功率微波器件将会得到更广泛的应用。但是,对于这种半导体器件的负载开关驱动提出了非常高的要求。要求负载开关驱动封装尺寸小,便于大阵列集成。并且对可靠行的要求也极高。智能功率集成电路(Smart Power Inte