南京大学通过承担国家“863”计划项目的研究,已经掌握InN材料以及高In组分InGaN材料的生长技术,研制的InN材料电子迁移率达到935cm2/v*s,达到国际先进水平。并且已经取得了InGaN太阳能电池的制备技术。申请了多项国家发明专利。该太阳能电池采用In0.3Ga0.7N的薄膜材料,电极采用MSM结构。从图中可以看出,随着外加偏压的增大,电流响应率也随之逐渐增大。该电池的光电响应率达到2100A/W(450nm,3V)。