本发明公开了一种 ZnO 单晶纳米片的制备方法。该方法利用脉冲激光沉积辅助范德瓦尔斯外延, 在范德瓦尔斯力作用的层状材料衬底上生长出高覆盖率的 ZnO 单晶纳米片。采用高能量辅助范德瓦尔 斯沉积有利于 ZnO 在衬底上结晶,而高真空环境减少沉积过程中的能量损失,配合上合适的沉积温度 和退火温度,能够改变 ZnO 的择优生长方向,使得 ZnO 优先于面内生长,改变传统 ZnO[001]方向择优