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低导通电阻 VDMOS 器件及制备方法

2021-04-14 00:00:00
云上高博会 https://heec.cahe.edu.cn
关键词： VDMOS 器件
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所属领域:
其它领域
项目成果/简介:

本发明公开了一种低导通电阻 VDMOS 器件及制备方法，在传统的 VDMOS 器件结构中引入一块与

源区掺杂杂质相同的掺杂区。该掺杂区位于栅氧层正下方且与基区和栅氧层紧密接触。相应地，新掺杂

区上方的栅极采用中空结构。本发明 VDMOS 器件可有效降低沟道导通电阻和颈区电阻，从而降低

VDMOS 器件的导通电阻；同时，采用中空结构的栅极既可避免新掺杂区对击穿电压的影响，也可降低

栅极与漏极间结电容，提高 VDMOS 的开关速度。本发明方法工艺简

项目阶段:
未应用
知识产权编号:
201410745311.0
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