半导体光刻胶成膜树脂制备技术

1.痛点问题

光刻胶作为集成电路制备中不可或缺的一部分，已成为国家的战略资源之一。半导体光刻胶的核心在于成膜树脂，受限于研发难度大、专利壁垒高、资金投入多、准入门槛高，目前国内企业尚难以突破KrF胶（248nm）或ArF胶（193nm），而EUV胶完全不能自主供给。

2.解决方案

本项技术采用了国际最前沿的纳米氧化物团簇材料的工艺路线，可以实现单2nm小分子的光刻胶成膜树脂材料，攻克了材料合成和纳米材料提纯的难题，可满足目前半导体3nm制程节点的技术要求，RLS分辨率、边缘粗糙度、灵敏度三项关键性能指标优异，其曝光剂量远低于Intel公司提出的20mJ/cm2的成本线。此外，本项技术具有多种半导体光刻胶兼容性，可以生产248nm和193nm光源的半导体光刻胶成膜树脂，以及电子束半导体掩膜用光刻胶成膜树脂，具有广阔的技术替代优势和市场应用前景。

3.合作需求

本项技术已设立衍生企业，位于江苏常州的3000m2研发生产中心正在建设中。

1）融资需求：本轮天使轮融资6000万元。

2）资源对接需求：集成电路芯片制造、掩膜板生产企业，地方政府等。

第一阶段（3年）：以中试、产业链匹配为主。产品研发按超高分辨率电子束光刻胶成膜树脂、深紫外（DUV）光刻胶成膜树脂、极紫外（EUV）光刻胶成膜树脂优先级推进，明确市场需求与技术方向，建设高端半导体光刻胶工程应用平台、光刻验证平台、分子设计数据库平台等，优化技术工艺，为下游提供产品送样服务。

第二阶段（3-5年）：在人才队伍和曝光平台双轨高效运行下，推进光刻胶商业迭代与性能革新,建设光刻胶产品生产线，实现小批量供货达到量产标准。

对标企业为美国Inpria公司，该公司开发了比有机EUV光刻胶光吸收率更高的无机物基础光刻胶，备受业界关注，因特尔、三星电子、SK海力士、台积电等企业均参与过Inpria公司的投资。2021年9月，全球光刻胶龙头企业日本JSR公司宣布收购Inpria79%股权，公司估值达6.5亿美元。

本项技术与Inpria公司采用了相同的光刻胶成膜树脂原理。不同点在于，本项技术引入分子设计与超算开发完成光刻材料初级筛选工作，对光刻机理进行理论创新，制备出了超高灵敏度的光刻胶以解决EUV光子稀缺利用不足的问题。