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一种低动态电阻增强型GaN器件

2023-12-11 15:22:04
云上高博会 https://heec.cahe.edu.cn
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所属领域:
电子信息
项目成果/简介:

GaN器件能同时实现高频、高效、大功率等优势,与硅器件相比具有更优异的器件特性,可以用于手机快充、5G等领域。与传统充电器相比,相同功率下的GaN充电器体积更小、质量更轻、携带便利。GaN充电器最大充电功率更高,充电速度更快,可满足多台设备同时充电的场景需求。5G基站中主要使用的是氮化镓功率放大器和微波射频器件。GaN材料在耐高温、耐高压及承受大电流方面具备优势,与传统通信芯片相比具备更优秀的功率效率、功率密度和宽频信号处理能力。

应用范围:

GaN器件能同时实现高频、高效、大功率等优势,与硅器件相比具有更优异的器件特性,可以用于手机快充、5G等领域。与传统充电器相比,相同功率下的GaN充电器体积更小、质量更轻、携带便利。GaN充电器最大充电功率更高,充电速度更快,可满足多台设备同时充电的场景需求。5G基站中主要使用的是氮化镓功率放大器和微波射频器件。GaN材料在耐高温、耐高压及承受大电流方面具备优势,与传统通信芯片相比具备更优秀的功率效率、功率密度和宽频信号处理能力。

项目阶段:

本项目目前仍处于实验室小试阶段,在传统650-V GaN-on-Si平台上制备了该p-GaN HEMT器件,该器件的击穿电压可以达到776V。同时该器件可以有效地抑制表面陷阱和缓冲陷阱,因此经过650-V的高压漏极应力后,该p-GaN HEMT的归一化动态导通电阻仅为1.39。

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