超净高纯湿电子化学品在湿法芯片制造过程中起决定性作用,湿电子化学品制备的关键在于控制并达到所要求的杂质含量和颗粒度。以半导体领域为例,根据现行通用的 SEMI标准,根据 IC 线宽不同,所需超级高纯试剂可分为 G1-G5 5 个等级,其中 G5 等级要求金属杂质含量达到 10ppt 等级。高端领域(G5等级)几乎被欧美等公司所垄断,其中德国巴斯夫、美国Ashland公司以及日本三菱公司占据了全球60%以上的市场份额,我国高端湿电子化学品在芯片领域的供应占全球<10%。目前,国际上普遍使用的超净高纯试剂提纯工艺有十余种,用于不同成分、不同要求的超净高纯试剂的生产。主要的方法有蒸馏和精密分馏、离子交换、分子筛分离、气体吸收和超净过滤以及多技术耦合,均为国外开发,且关键材料如离子吸附树脂等几乎被欧美等公司所垄断。本项目开发了短流程膜法超净高纯电子化学品分离新工艺,制备了无物质溶出且结构稳定的聚合物膜,通过一次膜分离,可同步实现金属离子99%以上和颗粒物100%截留。
膜法工艺流程
1、一次膜分离,同步实现金属离子99%以上和颗粒物100%截留;
2、形成了从材料制备到工艺优化的全流程专利池,实现了高端湿电子化学品分离膜自主化。
已在醇类、酯类、酮类等有机溶剂的高纯制备中得到推广应用。
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