SiC 新型功率 MOS 器件结构以及栅驱动电路的设计与研究

随着电动汽车充电系统、5G基站、高铁等技术的出现以及应用，电力电子设备也逐渐向高压大功率方向发展，功率半导体的性能是支撑上述前沿技术的关键。SiC器件作为三代半材料的典型代表器件，具有开关损耗低、耐高压和耐高温等优良特性。本项目着重解决当前SiC CMOS器件、功率器件尤其是MOS器件工艺、电路、结构设计以及功率器件高可靠性驱动电路设计的关键技术问题。

本项目旨在研究SiC功率MOS器件先进工艺，重在栅介质可靠性研究、界面态减小相关工艺并且自行设计新型高压高功率SiC MOS功率器件，并设计针对半桥和全桥应用时的高压寄生效应抑制的有源和无源栅驱动电路。

自行开发设计新型SiC MOS功率器件结构、工艺流程、包括工艺的改进、尤其是在栅介质工艺方面、功率器件应用的栅驱动电路结构设计。

设计能够有效改进SiC MOS功率器件栅特性的新型结构器件以及MOS功率器件结构应用时寄生效应的抑制、新型高压高可靠栅驱动电路，适用性强。