日盲紫外探测器与单像素成像技术

        技术成熟度：技术突破

        日盲紫外光电探测器具有优异的抗干扰能力和高温稳定性，在导弹预警、火焰探测等军事和民用领域有广泛的应用。氧化镓（Ga2O3）材料因合适的带隙宽度（4.4-5.3eV）和良好的热力学和化学稳定性成为制备日盲紫外探测器的理想材料。尽管氧化镓基日盲紫外探测器已经取得显著进展，但提升探测器性能、优化器件结构以及实现商业化应用仍面临着挑战。研发团队针对Ga2O3探测器响应度低、光谱选择型差和响应时间慢的问题，利用金属有机物化学气相沉积方法和范德华外延方法制备了Ga2O3单晶薄膜，并构建了异质结型和肖特基型探测器，器件在零偏压下响应度高于0.1 A/W，紫外/可见抑制比＞104，响应上升/下降时间为微秒量级，探测性能处于国际前列水平。

        意向开展成果转化的前提条件：中试放大及产业化工艺开发资金支持