|
南开大学
  • 14 高校采购信息
  • 519 科技成果项目
  • 0 创新创业项目
  • 0 高校项目需求

锑化铟(InSb)薄膜型霍尔元件

2021-04-11 00:00:00
云上高博会 https://heec.cahe.edu.cn
点击收藏
所属领域:
电子信息
项目成果/简介:

项目成果/简介:

锑化铟薄膜型霍尔元件主要用于直流无刷电机,大量应用于电脑的电源风扇,CPU 风扇,打印机,电动自行车等所用的微型直流无刷马达。具有灵敏度高,使用寿命长,可靠性高,体积小,重量轻,功耗小,频率高,耐震动,耐灰尘、油污、水汽和盐雾等各种污染或腐蚀的优点。


应用范围:

目前只有日本旭化成和韩国三星可以生产薄膜型锑化铟霍尔元件芯片,国内无芯片生产技术。国内市场约 50 亿人民币,具有市场广,竞争少的优点。 南开大学开发的芯片制造技术,原材料成本便宜 30%左右,具有很强的市场竞争力和投资价值。


效益分析:

制备温度低,能源消耗低,环境污染极小,易于大规模生产,制造成本低,投资小的优点。


项目阶段:
未应用
会员登录可查看 合作方式、专利情况及联系方式

扫码关注,查看更多科技成果

取消