本发明提供了一种具有倒装结构的紫外发光二极管,其该二极管自下而上依次为衬底、AlN成核层、非掺杂AlN或者AlaGa1?aN缓冲层、n型AlbGa1?bN区、AlcGa1?cN?AldGa1?dN多量子阱有源区、BN电子阻挡层、AleGa1?eN?BN布拉格反射镜结构p型区、重掺p型GaN层、ITO导电层、在ITO导电层上设置有p型欧姆电极,在n型AlbGa1?bN层上设置有n型欧姆电极,且n型欧姆电极与除n型AlbGa1?bN层以外的其他区域绝缘。该二极管有效提高了紫外LED的发光效率,同时大幅降低紫外LED的开启电压和电阻率。
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