低噪声放大器

一、 项目简介

采用0.18 CMOS工艺进行设计了一个应用于3~5 GHz超宽带低噪声放大器，其中电路由二阶切比雪夫滤波器，电阻并联反馈，两级共源共栅结构，源级跟随器组成低噪声放大器。

二、 项目技术成熟程度

设计出电路原理图和集成电路版图，完成电路仿真和版图绘制

三、 技术指标（包括鉴定、知识产权专利、获奖等情况）

设计的低噪声放大器在中心频率上噪声系数为0.71dB，增益为25.767 dB，输入输出反射系数均小于-20dB，电路总功耗为14.76 mW。

四、 市场前景（应用领域、市场分析等）

设计的超宽带放大器在噪声系数、增益、功耗等方面都有着较大优势

五、 规模与投资需求（资金需求、场地规模、人员等需求）

一百万元完成集成电路设计，场地100平方米，30左右专业人才，集成电路设计软件使用平台，流片渠道。

六、 效益分析

形成集成电路产业链，预计年收入一百万以上。

七、 合作方式

河北工业大学技术指导，技术转让等形式，企业联系流片和测试

八、 项目具体联系人及联系方式（包括电子邮箱）

项目负责人：赵红东， 电话： 022-60435744，联系人：赵红东，电话：022-60435744  邮箱：zhaohd@hebut.edu.cn。

九、高清成果图片2-3张

LNA的噪声系数                                                                   LNA的IIP3