本发明涉及一种碳化硅纳米线的制备方法领域。本发明所述的碳化硅纳米线的制备 方法如下:将不含氧的碳硅烷置于刚玉坩埚或刚玉舟内,将刚玉坩埚或刚玉舟放在耐高 温板上面,然后把耐高温板推入高温炉,排出炉内氧气,并以 6-15sccm 的速率通入惰 性气体保护,以 5-15℃/min 的速度将炉温升到 1000-1100℃,保温 1-3 小时后自然 降到室温。由本发明所述的碳化硅纳米线的制备方法所得产物均为碳化硅纳米线,长度 比现有的方法制备的碳化硅纳米线提高了 2 个量级,且制备方法简单,原料便宜易得, 设备要求简化,成本低。
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