本实用新型公开了用于集成电路的静电放电触发电路,通过在电路中设置由 NOMS 晶体管和 PMOS 晶体管组成的反相器、 BigFET 晶体管、低阈值电压 NMOS 晶体管使电路实现释放静电放电电流( ESD )的功能,且在电路中采用 NMOS 晶体管代替传统的电容器,在能够有效的释放静电放电( ESD )电流的同时,避免使用比较大的电阻和电容而带来的浪费芯片面积的问题。同时采用低阈值 MOS 管,使 BigFET 栅上的电荷快速泄放干净,没有漏电产生。