自主可控高性能磁存储芯片产业化项目

磁存储芯片采用电子的自旋属性存储信息，具有高速读写、低功耗、高密度、耐擦写、宽温区、高可靠和兼容晶体管工艺等优势，该芯片制造仅需增加极少量光罩层及磁工艺设备，有制造成本优势，被广泛认为是下一代非易失存储芯片的理想选择之一。此外，其存储单元天然可抵抗空间粒子辐照，在航空航天、机载车载、工业电子等领域被广泛应用。

磁存储芯片技术针对磁矩翻转原理已发展了三个技术代，其中第一代磁存储芯片可靠性极高，主要用于航空航天领域，但是该款磁存储芯片的宇航级产品被限制仅能在美国境内生产，且对我国严格禁运；第二代磁存储芯片密度极高，国际晶圆代工厂巨头企业均已宣布量产，该款磁存储芯片已广泛应用于服务器、智能穿戴等领域，然而其技术专利基本被国外厂商垄断，国内企业难以破局；第三代磁存储芯片技术兼具第一代的可靠性和第二代的微缩优势，该技术正处于量产验证阶段，在当前西方国家限制我国18纳米及以下的动态随机存储器、128层及以上的闪存等高端存储发展的局势下，我国亟需大力发展最新一代磁存储芯片技术，实现高可靠磁存储芯片的自主可控研发和生产，从而保障我国航空航天、空间站、深空探测、人工智能等技术的发展。此外，在传统存储芯片被美国彻底制裁后，新型存储芯片技术的自主发展会成为我国突破高端存储器技术封锁的最后一丝希望。

致真存储（北京）科技有限公司成立于2019年，致力于高性能磁存储芯片的研发和生产。团队创始成员包括国内外知名高校的多名博士，成员曾主持设计并量产了世界首款28纳米制程第二代磁存储芯片，研发团队中研究生学历占80%。团队在第三代新型磁存储器设计、材料、结构、工艺等领域已累计申请逾百项发明专利，在该领域的发明专利数在企业中居世界前五。先后获得创客2022海淀区特等奖第一名、北京市“专精特新”中小企业、全国颠覆性技术创新大赛优胜奖、国高新等奖励或资质；陆续获得中科创星、普华资本、海康慧海、中国互联网投资基金等投资人近亿元股权投资。

团队已调通8英寸自旋芯片后道工艺研发平台，256Kb封装芯片已给目标客户送样，外围电路全功能1Mb芯片成功回片，8英寸自旋芯片生产线已于2024年5月份开工，预计于2025年底通线并量产出货，该芯片有望广泛替代对我国禁运的第一代磁存储芯片，并为12英寸先进工艺的磁存储芯片技术攻坚夯实技术和人才基础。