高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
利用石墨烯解决栅极可靠性问题
对于HEMT功率器件来说,p-GaN栅极HEMT器件结构是目前被认为最有希望作为商业化应用的方案。不过,仍然有一些问题亟待解决,如增加阈值电压、降低栅极漏电流、提高栅极击穿电压等。于洪宇课题组2017级南科大-英属哥伦比亚大学联培博士生周广楠介绍,闸极漏电与闸极工作电压对应用于电源开关的氮化镓HEMT器件尤为重要,能够影响电源系统功率损耗与输出功率。解决此项问题对于p-GaN栅极HEMT器件的商业化应用有重要的意义。
南方科技大学 2021-04-14
非富勒烯有机太阳能电池
该工作首次将有机太阳能电池领域中两个功能性最强、应用最广泛的拉电子基团氟原子和酯基同时引入到了单噻吩的 β
南方科技大学 2021-04-14
基于石墨烯的 MEMS 压力传感器
基于石墨烯的 MEMS 压力传感器,属于微机电系统(MEMS)的压力检测器件,解决现有 MEMS 压力传感器尺寸较大,灵敏度有限的问题。本实用新型包括基底、绝缘层,所述基底表面氧化形成绝缘层,绝缘层内刻蚀出空腔,绝缘层上表面覆盖石墨烯薄膜,将所述空腔封闭,石墨烯薄膜为 1~5 层;所述石墨烯薄膜边缘沉积两个金属电极,两个金属电极上分别焊接有导线。本实用新型采用石墨烯薄膜构成 MEMS 压阻式压力传感器,制备方法简单,可靠性好,压力传感器体积更小,从微米尺度变为纳米尺度,灵敏度更高,在 1~5 层内增
华中科技大学 2021-04-14
一种石墨烯微型流量传感器
本实用新型公开了一种石墨烯微型流量传感器,属于 MEMS 器件,用于气流流量测量,解决现有流量传感器功耗大、衬底存在热传导、响应时间长的问题。本实用新型之石墨烯微型流量传感器,衬底上具有凹槽,凹槽上架有隔热层,隔热层上溅射有加热体,加热体的两端溅射有电极。本实用新型的另一种微型流量传感器,衬底上具有凹槽,凹槽上架有隔热层,隔热层上覆盖有绝缘层,绝缘层上溅射有加热体,加热体的两端溅射有金属电极。本实用新型体积小、重量轻而且性能稳定,能有效降低衬底传热导致的测量误差,通过测量通入气体前后加热体的电阻差值
华中科技大学 2021-04-14
一种石墨烯光阴极及其制备方法
本发明公开了一种石墨烯光阴极及其制备方法;该石墨烯光阴极由光阴极底座、衬底层、碘化铯薄膜、金膜组成;该石墨烯光阴极的制备方法具体包括如下步骤:S1:采用化学气相沉积法在一定厚度的镍片上生长石墨烯;S2:利用腐蚀液溶解制备石墨烯后的镍片,留下石墨烯;S3:将石墨烯平铺至光阴极底座;S4:利用真空蒸镀法向第 3 步得到的光阴极底座蒸镀一层碘化铯薄膜;S5:利用磁控溅射法向第 4 步得到的光阴极底座溅射一层金膜制得石墨烯光阴极。由于石墨烯具有优越的导电性、超高的透光率、良好的光电转换效应以及较强的机械强度
华中科技大学 2021-04-14
一种石墨烯图形化掺杂方法
本发明公开了一种石墨烯图形化掺杂方法,包括如下步骤:(1) 将氦气与掺杂气体混合作为工作气体导入等离子体发生装置中,施加 高压脉冲电压,在工作气体中放电产生室温常压等离子体,将形成的 等离子体由引导管的喷嘴导出,形成微等离子体射流;(2)将喷嘴对 准石墨烯薄膜的指定位置,用微等离子体射流对石墨烯薄膜进行辐照, 将工作气体的活性原子掺入到被辐照的区域,在二维平面内移动微等 离子体射流或石墨烯薄膜,实现对石墨烯的图形化掺杂。该方法可有 效地将杂质原子掺入到石墨烯的骨架位置上,且不会对石墨烯的原本 结构产生破坏,掺杂过程简单易行,设备成本低廉,可实现大规模生 产。
华中科技大学 2021-04-13
微孔淀粉基止血剂
在构建一种在物理性和化学性等多重止血机制的协同作用下发挥优异的止血性能的材料, 它的止血将更为彻底有效,止血范围也将显著扩大。 该项目以具有强吸水性和体内酶促降解性的植物淀粉为原料,从成分设计和结构控制着 手,制备出具有多重功能的淀粉基微孔止血材料。一方面赋予材料多孔结构和高比表面积以快 速吸收血液中的水分,提高创面附近凝血因子的浓度而实现物理性止血;另一方面通过对微 孔淀粉改性和功能化处理,激发与血液有效成分进行反应,启动和加快内源性和外源性凝血途 径,实现化学性止血。该项目拓宽了淀粉在生物医学中的应用;同时该离子负载型淀粉基微孔 止血材料的成功研发,对有效控制动脉、静脉和实质性脏器等的大出血具有重要的临床意义和 实用性。
华东理工大学 2021-04-11
硅基GaN功率开关器件
宽禁带半导体硅基GaN器件以其高效率,高开关速度高工作温度抗辐时等特点,成为当前国际功率半导体器件与技术学科的研究前沿及热点,也是业界普遍认可的性能卓越的下代功率半导体器件。而S基GaN因其S基特性.能够突破新材料在发展初期的成本牦颈且易与S集成电路产业链匹配,因此兼具高性能与低成本的优点在消费电子(如手机快冲与天线充电).数据中心与人工智能,无人驾驶与新能源汽车、5G通信等团家战略新兴领城具有巨大的应用前景。电子科技大学功率集成技术实验室自2008年起即开展硅基GaN功率器件与集成技术研究,围绕硅基GaN两大核心器件:增强型功率晶体管、功率整流器进行基础研究与应用技术开发。解决了增强型功率晶体管阈值电压大范围调控功率二圾管导通电压调控与耐压可靠性加查等关键技术瓶颈,研究成果为硅基GaN的产业化奠定了重要基础。
电子科技大学 2021-04-10
磷酸镁基快速修补材料
本技术开发了先进的磷酸镁基快速修补材料。通过使用分子模拟技术,联合数学模型的建立,能够指导高耐水性快速修补材料的合成。
青岛理工大学 2021-04-22
醇基及水基铸造涂料
可以量产/n该成果利用我国广泛的矿产资源制造铸造行业需要的铸造涂料,产品 用于铸造行业,能替代昂贵的锆英粉涂料,产品耐火度达1800 度以上, 2h 悬浮率达 96%以上。经实验,涂料中各组分按重量百分比如下:400~600 目耐火粉料占 44~55%,钠基膨润土 1.30~1.45%,水 0.45~0.60%,聚乙烯醇缩丁 醛 0.5~0.7%,热塑性酚醛树脂 1.4~1.6%,乙醇 41~52%。制备方法: 1)按比例称取各原料;2)先将钠基膨润土和水碾压预处理成膏状物;3)将 400~600
湖北大学 2021-01-12
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 18 19 20
  • ...
  • 95 96 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1