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用于宽温区水解制氢的镁钙基氢化物粉体及其制备方法
本发明所述用于水解制氢的镁钙基氢化物粉体,包括的组分及各组分的质量百分数为:Ca4Mg3H1414.2~50.2%,MgH234.8~85.7%,Mg0.1~15%,为提高水解产氢率,还复合有其它氢化物和∕或盐,其中其它氢化物的质量为组分Ca4Mg3H14、组分MgH2和组分Mg的质量的总和的0~5%,盐的质量为组分Ca4Mg3H14、组分MgH2和组分Mg的质量的总和的0~11%,其中,其它氢化物的含量、盐的含量不同时为0。上述镁钙基氢化物粉体的制备方法,是将镁钙合金破碎球磨后活化吸氢。本发明提供的用于水解制氢的镁钙基氢化物粉体,可在保证反应安全性和可控性的前提下提高产氢量,特别是提高室温和低温下的产氢量。
四川大学 2021-04-11
一种单分散氧化镓粉体及其高密度陶瓷靶材的制备方法
一种单分散氧化镓粉体及其高密度陶瓷靶材的制备方法 发明专利/实用新型/:发明授权 简介:本发明公开了一种单分散氧化镓粉体及其高密度陶瓷靶材的制 备方法,其将纯度为 99.99%以上的金属镓原料溶解于酸中,配制澄清 的镓盐溶液,加入沉淀剂产生沉淀物,将获得的沉淀经洗涤、过滤、 干燥、煅烧制成单分散超细氧化镓粉体;用合成的单分散氧化镓粉体 作为原料,经模压成型和冷等静压强化获得氧化镓生坯,将生坯放在 高温炉
华中科技大学 2021-04-14
一种氮化硅或氮化硅/碳化硅复合粉体的制备方法
本发明具体涉及一种氮化硅或氮化硅/碳化硅复合粉体的制备方法。技术方案一:以20——30wt%的单质硅和70——80wt%的碱金属无机盐为原料,再外加所述原料0——3wt%的催化剂,混合,干燥;然后在氮气气氛和1200——1400℃条件下保温2——5h,自然冷却,洗涤,制得氮化硅粉体。技术方案二:以5——15wt%的含硅源的物质、70——80wt%的碱金属无机盐和5——15wt%的碳黑为原料,再外加所述原料0——3wt%的催化剂,混合,干燥;然后在氮气气氛和1200——1400℃条件下保温2——5h,自然冷却,洗涤,得到氮化硅/碳化硅复合粉体。本发明具有生产成本低、工艺简单和易于工业化生产的特点;所制备的氮化硅或氮化硅/碳化硅复合粉体粒度均匀、晶体形貌好和物相纯度高。 (注:本项目发布于2015年)
武汉科技大学 2021-01-12
3D电子心理沙盘
3D电子心理沙盘 (一)、软件功能1、3D场景:①提供10个不同样式的沙箱场景,根据沙盘主题进行自由选择,包含草原、沙漠、湖畔、雪地等,沙箱场景与实际沙盘高度逼真。②场景编辑功能:在场景中,可以升降地面,调节水位高度,改变天气状态,比如晴天、多云、阴天、日出、日落、黄昏、黑天。提供60个地表画刷,可以对地面进行背景替换和填充。2、3D沙具①10类沙具,包括人物类,动物类,植物类,建筑物类,景观类,交通运输类……,其他种类。总计不少于1500个3D沙具。②任一沙具不仅可以进行拖动、旋转、移动,还可以删除,同时系统自动记录沙具编号、名称、位置。某些动物类沙具可以设置为动态,如甩尾、踏步、抬头、眨眼等微动作;沙漠或草原可以有明显的刮风、下雨天气。③自定义沙具属性:管理员可以自定义沙具属性,支持沙具的左右、上下、大小、发转等操作,该属性能够为沙具意义分析报告提供参考根据。 3、可外接硬件:具有支持眼动仪的接口。支持眼动追踪功能:系统预留外接眼动仪接口,一旦链接眼动仪即可实时记录游戏者沙盘制作过程中眼动注视情况,回放时可以与沙盘画面同步呈现,给老师提供眼动信息作为咨询参考依据。对于心理沙盘游戏过程中的眼动与心理分析及研究提供客观性数据支持。【眼动仪非标配】 4、沙盘环境操作与设置①通过地形编辑器(地形刷)对场景地形进行上升(凸起造山)、下降(洼陷造湖)、平坦(回填复原)等创造性制作场景,也可以通过控件进行地表切换(变色、草地沙地雪地等地形变换、调整明亮度),进行地形填充与批量化场景创设。②多种天气切换:晴天、多云、阴天、日出、日落、黄昏、黑天等天气与时间设置控件,将选择后的场景更加丰富多彩。③水面设置具有调整水位高低、风吹波浪、水面浑浊、风向角度等4个功能,让场景中的水面更具生气。④根据不同来访者自己的爱好与心理偏向,提供40多种场地颜色切换功能。 5、加载功能。将一次沙盘制作分为若干次,每次均在上次基础上进行沙盘制作,适合多次连续咨询。6、回放功能。系统提供实时回放,将沙盘制作过程重新呈现,可以作为学习资料进行存档留存。 7、报告功能。 ①自动出具心理沙盘分析报告,报告内容分为基本信息、来访者评价、作品截图、移动/摆放列表、沙具使用数量统计图、沙具意义分析、沙具布局热点图、不同象限眼动注视分布图(加载眼动仪则呈现,不加载不呈现)、整体分析记录表等信息。沙盘组织者可以对其中的内容进行编辑。②沙盘报告是根据内部沙具意像智能化出具,是千人千面的智能动态化(非套用静态模板)。
北京京师慧智科技有限公司 2025-05-22
新一代基座大模型GLM-4
项目负责人:唐杰,清华大学计算机系WeBank讲席教授、大模型研究中心主任,国家级人才,ACM/AAAI/IEEE Fellow。研究兴趣包括人工智能、知识图谱、数据挖掘、社交网络、大语言模型等。曾获ACM SIGKDD Test-of-Time Award(十年最佳论文)、IEEE ICDM研究贡献奖、国家科技进步二等奖。 运营团队:2019年,智谱AI成立,迅速形成以清华大学计算机系98级张鹏为CEO、高文院士弟子刘德兵为董事长、清华创新领军博士王绍兰等为核心的运营团队。 清华大学计算机系知识工程实验室李涓子、唐杰、许斌等人建立了完全自主知识产权的科技情报挖掘与智能服务平台,申请专利40余项。2019年,通过科技成果转化,北京智谱华章科技股份有限公司(以下简称“智谱AI”)成立,致力于打造新一代认知智能大模型,与学校合作研发了双语千亿级超大规模预训练模型GLM-130B,并基于此千亿基座模型打造了对话模型ChatGLM,具有双语、高精度、快速推理、可复现、跨平台等核心优势,在此基础上开源单卡版模型ChatGLM-6B,全球下载量已超过1000万次。 2024年1月,新一代基座大模型GLM-4正式推出,整体性能相比上一代大幅提升,比肩世界先进水平。它支持更长上下文,具备更强多模态能力,推理速度更快,支持更高并发,大大降低推理成本。同时,GLM-4的智能体能力得到大幅提升,可根据用户意图,自动理解、规划指令以完成复杂任务。GLMs个性化智能体定制功能亦同时上线,用户用简单提示词指令即能创建属于自己的GLM智能体,由此任何人都能实现大模型的便捷开发。
清华大学 2025-05-16
功能结构一体化3D打印创新设计
随着制造技术的快速发展,针对复杂结构件设计的需求日益广泛。改变传统的零件设计模式,将创新型设计方法与增材制造技术相结合,开展面向功能构建的创新设计,实现“结构—功能-材料”一体化,在设计阶段提升产品的功能、材料性能和降低成本,是充分挖掘增材制造的潜能,提升增材制造产业化价值的关键,是企业产品升级变革的重要手段和方法。 本项目突破集有限元分析、拓扑优化、晶格造型、力学设计、工艺约束、美学设计于一体的集成创新设计方法,充分利用晶胞的单元构造、堆积密度及空间分布直观地表达复杂产品结构件的材
南京理工大学 2021-04-14
4,4'-二氨基苯磺酰苯胺合成
技术背景: 4,4'-二氨基苯磺酰苯胺已广泛来用替代联苯胺类化合物,市场需求较大,是合成酸性黑210、酸性黑234、酸性黑242、部分活性染料 和直接染料的中间体。 主要原材料:退热冰、氯化亚砜、对苯二胺、氯磺酸、液碱 结构式: 技术水平: 污染物分析:每吨产品产废水约5吨,COD在5000ppm左右应用领域: 设计规模50吨/年,年净利润在300万元左右。主体设备及投资预 算约70万元。
上海交通大学 2021-04-11
TIFFEN 4*4 ND1.5全面减光镜
产品详细介绍 
德维尼(北京)科技有限公司 2021-08-23
中银(BOCT)100英寸4K高清教学会议一体机
产品详细介绍
深圳市中银科技有限公司 2021-08-23
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作,成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长,相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异,能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求,对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底,GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点,Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底,其表面原子结构为三重排列,可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而,Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底,获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称,外延生长时无法有效匹配;同时Si(100)表面存在二聚重构体,导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层,在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长,并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础,而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学 2021-04-11
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