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一种氮化硅或氮化硅/碳化硅复合粉体的制备方法
小试阶段/n本发明专利采用一种新的合成方法制备了氮化硅或氮化硅/碳化硅粉体。与传统制备方法相比，此工艺简单，成本低，具有较大的市场前景，为非氧化物耐火材料原料的生产提供了一个新的思路。
武汉科技大学
2021-01-12
一种单分散氧化镓粉体及其高密度陶瓷靶材的制备方法
一种单分散氧化镓粉体及其高密度陶瓷靶材的制备方法 发明专利/实用新型/：发明授权 简介：本发明公开了一种单分散氧化镓粉体及其高密度陶瓷靶材的制 备方法，其将纯度为 99.99％以上的金属镓原料溶解于酸中，配制澄清 的镓盐溶液，加入沉淀剂产生沉淀物，将获得的沉淀经洗涤、过滤、 干燥、煅烧制成单分散超细氧化镓粉体；用合成的单分散氧化镓粉体 作为原料，经模压成型和冷等静压强化获得氧化镓生坯，将生坯放在 高温炉
华中科技大学
2021-04-14
3D快速建模系统
集成3D模型、视频、图片等各种素材，提供场景编辑、交互流程设定、渲染等功能，以实现3D模型自动重建的目标。
利用人工智能技术，构建模拟计算的算法和模型，根据数据实时进行仿真计算。
上传一张图片，可以在1分钟以内快速生成三维模型素材。
上传一段视频，可以在1个小时以内快速生成精细纹理三维模型素材。
支持本地化部署，支持分布式部署建模，支持大批量用户同时在线访问。
可实现实体设计、草图绘制、参数化建模和模型编辑功能。
支持导入*.glb、*.stl、*.obj、*.gltf格式模型。
可输出*.glb、*.stl、*.obj、*.gltf格式模型。
全方位的3D场景，上下、左右、前后360度观察模型所在环境，展示效果更逼真。
可以通过造型表面上的多个点来控制造型变形；
可对造型进行扭曲、折弯、锥度等多种变形处理。
可实现边学习边实操的教学模式，支持创建学习资源或教学课件。
可直接在软件里拖曳云盘中的三维模型，也可以将软件中模型直接上传到云盘。
系统采用PBR材质，基于物理的着色技术，最大程度还原工作环境，提高用户沉浸感；
采用LOD技术处理复杂场景的绘制，使软件运行更加流畅，分层级处理系统渲染效果；
采用三维模型构建场景及物体，物体多边形面数(poly)控制在≤30 万面，基础包大小＜50MB，支持多种分辨率(1280×720，1600×900，1920×1080)确保用户体验；
实训场景内模型无闪面、重面、破面，不能有多边面，保证场景演示无闪烁现象；
场景烘焙无曝光过度，无黑边现象，采用PostProcess进行场景后处理，真实逼真；
虚拟人物满足人设需求，着装符合角色身份；
虚拟人物能自主控制，具有多种动作，动作自然，可模拟操作主要过程；
北京华视恒通信息技术有限公司
2024-06-20
功能结构一体化3D打印创新设计
随着制造技术的快速发展，针对复杂结构件设计的需求日益广泛。改变传统的零件设计模式，将创新型设计方法与增材制造技术相结合，开展面向功能构建的创新设计，实现“结构—功能－材料”一体化，在设计阶段提升产品的功能、材料性能和降低成本，是充分挖掘增材制造的潜能，提升增材制造产业化价值的关键，是企业产品升级变革的重要手段和方法。 本项目突破集有限元分析、拓扑优化、晶格造型、力学设计、工艺约束、美学设计于一体的集成创新设计方法，充分利用晶胞的单元构造、堆积密度及空间分布直观地表达复杂产品结构件的材
南京理工大学
2021-04-14
4,4'-二氨基苯磺酰苯胺合成
技术背景： 4,4'-二氨基苯磺酰苯胺已广泛来用替代联苯胺类化合物，市场需求较大，是合成酸性黑210、酸性黑234、酸性黑242、部分活性染料 和直接染料的中间体。 主要原材料:退热冰、氯化亚砜、对苯二胺、氯磺酸、液碱 结构式: 技术水平： 污染物分析:每吨产品产废水约5吨，COD在5000ppm左右应用领域： 设计规模50吨/年，年净利润在300万元左右。主体设备及投资预 算约70万元。
上海交通大学
2021-04-11
TIFFEN 4*4 ND1.5全面减光镜
产品详细介绍
德维尼（北京）科技有限公司
2021-08-23
中银（BOCT）100英寸4K高清教学会议一体机
产品详细介绍
深圳市中银科技有限公司
2021-08-23
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11
蔬菜全粉及蔬菜汁粉系列产品的加工
蔬菜 (汁) 粉是国内外近来新出现的新型健康食品配料，由于其安全、天然、营养、绿色 和应用广泛等特点而倍受人们的关注，具有较好的开发和应用前景。但对于消费人群摄食新鲜 蔬菜，却具有季节性、储藏时间短、食用不方便等较多困难，而蔬菜全粉及蔬菜汁粉是两种来 源于蔬菜的新型健康食品配料，蔬菜全粉及蔬菜汁粉不仅是蔬菜的深加工产品，也是一种延长 了保质期、提高了食用方便性和应用广泛性的加工产品。蔬菜全粉及蔬菜汁粉产品系列具有较 好的开发和应用前景。结合我们以前对其它蔬菜 (汁) 粉的研究基础，我们课题组进行了有关 蔬菜全粉及蔬菜汁粉系列的规模化研制及其在食品中的应用技术开发工作。我们开发出了蔬菜 全粉及蔬菜汁粉规模化产品，研制出的速溶蔬菜全粉及蔬菜汁粉系列产品应用于多类诸多个食 品中，具有较好的应用效果和前景。
华东理工大学
2021-04-11
梯状n-型有机半导体
梯状有机半导体是一类非常重要的半导体材料， 这类半导体具有刚性结构、高共面性及载流子高度离域等特性，从而有利于实现高迁移率的晶体管器件， 因此梯状有机半导体对材料的基本物理化学性质研究和高性能有机半导体的开发都具有重要意义。梯状有机半导体材料通常富有电子，在电子器件中作为p-型半导体使用。由于合成挑战和同时拉电子基团带来的空间位阻，缺电子的梯状n－型有机半导体材料非常稀缺，难以合成，相对于p-型半导体载流子迁移率要低、器件稳定性要差。酰亚胺高分子半导体是有机电子领域最为重要的半导体材料之一，由于酰亚胺的强拉电子效应，迄今为止高性能的n-型有机半导体材料通常都带有酰亚胺或酰胺基团。郭旭岗从博士期间在国际上率先并系统性地研究了各类酰亚胺高分子半导体材料及其在有机场效应晶体管和有机太阳能电池中的应用，并实现了突出的器件性能（Chem. Rev. 2014, 114, 8943-9021）。 双噻吩酰亚胺是一个重要的梯状有机半导体构建单体， 前期工作中郭旭岗以双噻吩酰亚胺为单体成功构建一系列高性能有机半导体材料（Nature Photonics, 2013, 7, 825-833; J. Am. Chem. Soc. 2011, 133, 1405-1418; J. Am. Chem. Soc. 2012, 134, 18427-18439; J. Am. Chem. Soc. 2015, 137, 12565-12579; Adv. Mater. 2012, 24, 2242-2248）。 郭旭岗课题组结合梯状有机半导体的优势，对双噻吩酰亚胺进行了拓展，合成了一系列具有可调控共轭长度的梯状n-型有机半导体材料。这一系列材料具有精确的化学结构、易溶液加工、高共面性、良好的结晶度、可调控的光电性质及半导体能级结构。当用于有机场效应晶体管中实现优异的n-型半导体器件性能， 电子迁移率达到0.05 cm2 V-1 s-1。这一系列材料为基础的物理化学性质研究和高性能的有机半导体开发提供了良好的平台。
南方科技大学
2021-04-13