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空调网关(一控一)
本产品可将多联式或单元式空调连接至智能家居集中控制系统或BMS系统,以实现智能化监控与控制。 本产品需连接至空调室内机,一个室内机连接一台本设备。
浙江瑞瀛物联科技有限公司 2024-12-30
一种三相混晶二氧化钛材料的制备方法
本发明公开了一种三相混晶二氧化钛材料的制备方法。包括以下步骤:1)将钛前驱体加入碱溶液中,钛前驱体与碱溶液的体积比为1:10~25,持续搅拌1~5h;2)将步骤1)的沉淀用100~300mL水分2~6次洗涤,在40~160mL酸溶液中重新分散,搅拌10~45min;3)将步骤2)的混合物置于100~200mL具四氟内胆的水热反应釜中,150~200℃下水热反应12~36h;4)将步骤3)的沉淀水洗至上清液呈中性,干燥,得到三相混晶二氧化钛材料。本发明采用一步反应法制备晶型比例可控的三相混晶二氧化钛材料,具有方法简便、无需高温煅烧等优点。
浙江大学 2021-04-11
一种溶液法合成嵌段聚合物纳米二氧化硅的方法
本发明涉及纳米粒子制备领域,公开了一种溶液法合成嵌段聚合物接枝纳米二氧化硅的方法,通过对纳米粒子及其应用需求进行整体设计,通过对纳米二氧化硅表面活化改性,接枝上具有不同性质的多组元线性聚酯链段,并引入不同性质线性聚酯长分子链,得到具有特殊表面结构的改性纳米二氧化硅;经过表面特殊结构修饰后,形成“有机胡须”包覆的纳米二氧化硅粒子,该种纳米粒子与大多数树脂基体有很好的相容性,其中聚酯链段可以结晶成核,进而呈现出对线性聚酯树脂基体的优异的成核诱导效应。纳米二氧化硅在塑料、橡胶、纤维、涂料、生物技术等领域有着广泛的应用。
青岛大学 2021-04-13
一种超薄碳包覆二氧化锡纳米复合材料的制备方法
专利名称:
天津工业大学 2021-01-12
一种单分散氧化镓粉体及其高密度陶瓷靶材的制备方法
一种单分散氧化镓粉体及其高密度陶瓷靶材的制备方法 发明专利/实用新型/:发明授权 简介:本发明公开了一种单分散氧化镓粉体及其高密度陶瓷靶材的制 备方法,其将纯度为 99.99%以上的金属镓原料溶解于酸中,配制澄清 的镓盐溶液,加入沉淀剂产生沉淀物,将获得的沉淀经洗涤、过滤、 干燥、煅烧制成单分散超细氧化镓粉体;用合成的单分散氧化镓粉体 作为原料,经模压成型和冷等静压强化获得氧化镓生坯,将生坯放在 高温炉
华中科技大学 2021-04-14
一种氧化石墨烯-TiO2 复合材料及其制备方法和应用
本发明公开了一种 GO-TiO2 复合材料及其制备方法和在分离/富集重金属离子中的应用。本发明在GO 上原位合成了纳米 TiO2,对二者的比例进行了优化使氧化石墨烯和 TiO2 质量比为 1∶1~9,制备了兼有 GO 和 TiO2 优良性能的 GO-TiO2 复合材料,并成功用于分离/富集环境水样和底泥中的重金属和稀土元素。本发明
武汉大学 2021-04-14
一种介孔二氧化硅包覆纳米金颗粒的制备方法
本发明公开了一种利用介孔二氧化硅包覆纳米金球的方法,结合纳米金球合成的传统手段-柠檬酸钠还原法,采用一锅两步法发展了一种介孔二氧化硅包覆纳米金球的方法,该方法选择在碳链的阳离子表面活性剂如十六烷基三甲基溴化铵的碱性水溶液体系中对纳米金颗粒进行包覆。采用本发明的包覆方法,无需引发剂活化和后续分离纯化,具有简单、高效、高产的特点,并且产物 Au@mSiO2 的大小均一,粒径大小在 20-120nm 的范围内连续可调,且在整个范围内呈现出均一有序的介孔状结构。
华中科技大学 2021-04-14
一种锑阳极直接碳固体氧化物燃料电池电堆及其制备方法
本发明公开了一种锑阳极直接碳固体氧化物燃料电池电堆及其 制备方法,属于燃料电池领域。锑阳极直接碳固体氧化物燃料电池呈 管状,其内壁为阴极或者负载有阴极的阴极支撑体,其外壁为电解质 或者负载有电解质的电解质支撑体,阳极位于电解质表面或者负载有 电解质的电解质支撑体表面。电堆包括电堆腔体和封装集成在电堆腔 体中的多个单电池。电堆的制备方法包括:S1 制备单电池中间体;S2 制备电堆中间体;S3:先设置阴极侧集流线和阳极侧
华中科技大学 2021-04-14
一种环氧树脂-二氧化硅空心管复合材料及制备方法
本发明公开了一种环氧树脂-二氧化硅空心管复合材料及其制 备方法。所述环氧树脂-二氧化硅空心管复合材料,包括二氧化硅空心 纳米管和环氧树脂,所述二氧化硅空心纳米管分散于环氧树脂中,其 添加量为环氧树脂的 0.1~10wt.%。其制备方法包括以下步骤:(1)采 用溶胶-凝胶法制备二氧化硅空心纳米管;(2)将步骤(1)制备的二氧化硅 空心纳米管分散于环氧树脂中,形成环氧树脂-二氧化硅空心管均匀分 散体系;(3
华中科技大学 2021-04-14
一种纳米氢氧化钴-石墨烯复合膜、其制备方法及应用
本发明公开了一种纳米氢氧化钴-石墨烯复合膜、其制备方法及 应用。所述复合膜,包括纳米石墨烯底层和纳米氢氧化钴表层,所述 纳米石墨烯底层厚度在 4000nm 至 6000nm 之间,所述纳米氢氧化钴表 层厚度在 50nm 至 100nm 之间,所述纳米氢氧化钴表层均匀沉积在所 述纳米石墨烯底层上。其制备方法,包括以下步骤:将氧化石墨烯均 匀分散于水中,涂敷在片状导电基底上,干燥得到纳米氧化石墨烯膜; 组建三电极体系采用
华中科技大学 2021-04-14
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