|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
一种 FCoE 虚链路故障检测方法
本发明公开了一种 FCoE 虚链路故障检测方法，包括：FCoE 设 备在虚链路上发送完一个 FCoE 报文后，设置虚链路空闲定时器；如 果在虚链路空闲定时器超时前，FCF 或 ENode 接收到数据，则删除虚 链路空闲定时器；反之，如果虚链路空闲定时器超时，FCoE 设备设置 虚链路失效定时器，并向对端FCoE设备发送维持FCoE虚链路的报文； 当所设置的虚链路失效定时器超时时，如果所述 FCoE 设备尚未收到 对端
华中科技大学
2021-04-14
一种倒装 LED 芯片在线检测方法
本发明公开了一种倒装 LED 芯片在线检测方法，该方法所涉及 的检测装置包括盘片装载台、运输传输系统、收光测试组件、探针工 作台以及探测对准系统，其中，该在线检测方法为:在工作中，运输 传送系统可以运输盘片工作台到合适的工作区域，调整位姿之后，启 动探测对准系统对探针工作台进行控制，使探针与待测试的芯片接触 通电，使芯片发亮，从而收光测试组件可以对其进行检测。按照本发 明的机械结构，能够成功地解决倒装 LED 芯片电机和发光面不同侧的 问题，并且采用了精密图像
华中科技大学
2021-04-14
一种石墨烯光阴极及其制备方法
本发明公开了一种石墨烯光阴极及其制备方法；该石墨烯光阴极由光阴极底座、衬底层、碘化铯薄膜、金膜组成；该石墨烯光阴极的制备方法具体包括如下步骤：S1：采用化学气相沉积法在一定厚度的镍片上生长石墨烯；S2：利用腐蚀液溶解制备石墨烯后的镍片，留下石墨烯；S3：将石墨烯平铺至光阴极底座；S4：利用真空蒸镀法向第 3 步得到的光阴极底座蒸镀一层碘化铯薄膜；S5：利用磁控溅射法向第 4 步得到的光阴极底座溅射一层金膜制得石墨烯光阴极。由于石墨烯具有优越的导电性、超高的透光率、良好的光电转换效应以及较强的机械强度
华中科技大学
2021-04-14
一种聚能抽水装置及抽水方法
本发明提供一种聚能抽水装置，包括多组 η 形管道、注水仓、注水管道、负压管道、抽水管道和密 封水箱，注水仓通过水泵管道与位于上游水源中的注水水泵相连通;多组 η 形管道顶部分别通过设有注 水管道阀门的注水管道与水源仓相连通;多组 η 形管道顶部通过设有负压管道阀门的负压管道与密封水 箱相连通;密封水箱侧部通过设有抽水管道阀门的抽水管道与下
武汉大学
2021-04-14
一种铝合金形变热处理方法
本发明公开了一种提高铝合金强韧性的电磁成形和时效热处理 复合新方法，属于铝合金形变热处理技术领域。该方法包括以下过程： 固溶淬火处理、双级时效处理和电磁成形步骤。相对于现有的预变形- 固溶淬火-终变形-人工时效工艺，本发明克服了其处理工艺复杂，容易 导致二次变形，使用性能下降等问题，简化了可热处理强化铝合金的 制造工艺路线，避免了传统制造工艺中二次变形和性能降低的现象。 实验证明，经本方法成形的铝合金构件，无明显二次
华中科技大学
2021-04-14
一种溴铅铯粉体制备方法
本发明公开了一种溴铅铯粉体制备方法,具体包括如下步骤：(1) 获取反应物溴化铅的起始溶液：(2)获取反应物溴化铯的起始溶液：(3) 将溴化铅的起始溶液与溴化铯的起始溶液同时滴加到反应底液中，滴 加的同时搅拌；通过化学共沉淀反应获取溴铅铯沉淀物；(4)对溴铅铯 沉淀物进行洗涤和抽滤，以清除杂质和杂相；(5)将步骤(4)中得到的产 物烘干，获得溴铅铯粉体；该制备方法通过控制原料的浓度及反应原 料的化学计量比，有效提高主反
华中科技大学
2021-04-14
一种电卡材料及其制备方法
本发明公开了一种电卡材料及其制备方法。电卡材料由覆盖在 柔性衬底上的BST陶瓷纳米线阵列构成，所述BST陶瓷纳米线阵列中， Ba 和 Sr 的摩尔比为(1～3):1。本发明首次将 BST 陶瓷纳米线阵列用作 电卡材料，通过将 BST 陶瓷纳米线阵列转移到柔性衬底上，充分利用 铁电陶瓷良好的电卡效应和纳米线阵列特殊微结构具有的柔韧性，制 得具有良好柔韧性和理想电卡效应的电卡材料，实现了无机柔性电卡 材料的制备
华中科技大学
2021-04-14
一种方向自适应图像去模糊方法
本发明公开了一种方向自适应图像去模糊方法，包括以下步骤：(1)定义方向自适应总变分(Total-Variation)TV 正则化图像去模糊最小化代价函数；(2)引入辅助变量 d1＝Hu，d2＝▽xu，d3＝▽yu 将步骤(1)·770·中的无约束最小化问题转换为有约束问题；(3)引入惩罚项将步骤(2)中的有约束问题转化为新的最小化代价函数；(4)使用交替最小迭代策略将步骤(3)中的最小化问题转换为关于变量的 u,d1
华中科技大学
2021-04-14
一种芯片连晶缺陷识别方法
本发明公开了一种芯片连晶缺陷识别方法，该发明主要用于在 芯片制造过程中识别含连晶缺陷的不合格芯片；包括三个步骤：步骤 一，对采集到的芯片图片进行模板匹配，定位出芯片的位置，根据芯 片的位置，对图片进行截取；步骤二，对截取获得的图片进行预处理， 增大芯片基体与背景的差别；步骤三、对经过预处理的图片进行分割， 获取 blob 块，对 blob 块进行特征分析：首先以面积为基准判断出是否 含连晶缺陷；对面积正常的 blob 块，获取其 blob 块最小外接矩形的中 心点以及四边中点的位置，以中心点以及四边
华中科技大学
2021-04-14
一种连钱草酚及其制备方法和应用
本发明公开了一种连钱草酚及其制备方法和应用。所述连钱草酚为化合物Ⅰ、化合物Ⅱ或化合物Ⅲ，结构式如图24所示。所述制备方法包括：将连钱草（Glechoma?longituba(NaKai)Kupr.）置于溶剂中浸提，获得浸提液；对浸提液进行萃取，将萃取液浓缩，获得提取物；从提取物中分离纯化获得所述连钱草酚。所述应用为连钱草酚在制备抗氧化药物、抗炎镇痛药物中的应用。与现有技术相比，本发明连钱草酚的三个结构均为首次发现的化合物，丰富了现有化合物种类；本发明连钱草酚具有良好的抗氧化、抗炎活性，可用于制备抗氧化药物、抗炎镇痛药物等，用途广泛。
浙江大学
2021-04-13